发布时间:2025-11-05 17:35:52 人气:

波导耦合应用三之端面(水平)耦合
引言:为什么需要“端面耦合”?
随着硅光技术的成熟,光纤波导耦合最常见的有两种:
光栅垂直耦合(grating coupler),这种方案的优势在于——结构简单、工艺成熟、可实现晶圆级测试,非常适合原型验证与大规模芯片筛选。
端面(水平)耦合(edge coupling)——当器件性能要求提升,例如希望实现 <1 dB 的光纤–芯片插入损耗,或需要与现有的光纤阵列、陶瓷基座等标准封装接口兼容时,此种耦合方式往往成为更优选择。

端面(水平)耦合与垂直耦合的典型结构对比示意↑
端面耦合基本原理:本质上是在做“模式渐变”
端面耦合的核心思想:
让光纤输出的高斯光斑(大而圆),逐步过渡为芯片内部波导的基模(小而集中)。 然而两者的“模场形态”差异极大: 光纤的模场直径通常为 8–10 µm,分布平滑、扩展较宽; 而硅光波导的有效尺寸仅约 0.5 × 0.22 µm,光被强烈约束在极小区域内。 直接将光纤端面对准波导端面,只能让中心部分耦合进入,大量能量会因模式不匹配而损失。
因此,端面耦合器的设计目标,是让芯片端的模式“更像光纤”。 常见实现思路包括:
扩大波导截面、降低等效折射率,使出射模场更大、更圆、更接近光纤高斯分布;
沿传播方向引入数百微米至 1 mm 的渐变段(倒锥形或包层过渡层),实现模式的平滑演化,避免反射和模式扰动。
通过这种“空间尺寸 + 折射率双渐变”的设计,光场得以从光纤的大模场平稳收敛至硅波导的紧模式,实现高重叠、高效率的端面耦合。
端面(水平)耦合和垂直耦合从原理上对比的话:
在硅光芯片中,垂直耦合器是靠“衍射 + 次级光学结构”把光从上方拉进来
端面耦合器则通过“模式渐变”把光从侧面平滑地接入波导。

倒锥形端面耦合器及其模场渐变示意图↑
光纤输出的高斯光斑在进入逐渐变细的波导锥形区后,光场从宽而松散的分布逐步被收紧并重新约束到硅波导中,实现了从光纤大模场到芯片小模场的平滑“模式渐变”。
常见的端面(水平)耦合结构
端面耦合的发展路线大致可以分为以下几类:从早期的倒锥形波导,到近年来的多层/双薄膜结构,再到结合3D 打印的微光学方案。每一代结构都在解决同一个问题——如何让芯片端的模式更像光纤、更容易封装、更不怕偏差。
1.倒锥形(Inverted Taper)——最经典、最成熟的方案
核心思路: 把硅波导前端“削尖”,让光逐渐释放到外部的低折射率包层中,从而“放大”模式尺寸。
典型参数: 锥形长度 200–500 µm,极端优化时可延长到 1 mm。
发展趋势: 2020 年后,该结构已相当成熟。研究重点转向宽带化、偏振无关与更大对准容差的设计改良。

该图展示的是一个光纤到片上波导的光耦合结构,它通过使用锥形硅波导作为模式尺寸转换器↑

倒锥形硅波导端面耦合结构及模场渐变示意。光从左侧光纤端进入,在 SU-8 包层中形成宽模场,沿波导方向逐渐收敛至硅核,实现光纤-波导模式平滑过渡。
多层 / 双薄膜端面耦合器——近两年快速兴起
核心思路: 通过多层薄膜或双波导结构,进一步调控输出模式形状和尺寸,实现更灵活的模式整形。

上图为多层混合端面耦合器结构示意
光纤发出的光首先进入聚合物渐变波导,在低折射率层中形成大模场,与光纤高斯模式匹配;随后光逐层耦合进入 Si₃N₄ / LNOI 波导中,模场逐渐收缩并被硅基波导强约束,实现平滑的模场渐变与低损耗耦合。
斜面 / 45° 微镜 / 蚀刻斜坡——结构多样化的补充方案
核心思路: 利用端面倾角或镜面反射,让光在进入波导前折转方向,为特殊封装或非正入射路径提供空间。
典型结构:
· 在端面蚀刻出约 45° 的斜坡;或在该斜面上沉积金属形成反射镜;
· 光纤仍从侧面插入,但光线会在端面反射后进入波导层。
适用场景: 空间受限、波导层较深或需垂直—水平转换的封装结构。
三维微光学与PWB——近五年的热点方向
核心思路:从平面结构进化到三维光学结构,在端面或光纤端添加可打印微透镜或自由曲面光波导,显著放宽装配公差。
意义: 这是端面耦合从“平面波导”走向“空间光学”的关键一步,用可打印、可调的微光学结构换取更大的封装容差与更高的产线效率。

上图为3D 纳米打印 Photonic Wire Bond 在混合集成光子模块中的应用↑
近五年端面耦合的演进路线
结构更立体 → 模式更可控 → 封装更宽容 → 产业更可行。
端面(水平)耦合与垂直耦合的对比
1. 损耗:端面耦合做到 0.5–1 dB 相对容易,垂直耦合一般是 1.5–2.5 dB,要做到 <1 dB 需要一些复杂的设计
2. 工艺/封装难度:端面耦合的要求较高,端面要切割、抛光,还得高精度对准;垂直耦合则工艺相对简单,可在晶圆级直接测试,不需光纤插拔,对大规模生产更友好。
3. 灵活性:垂直耦合可以在芯片上“随便开口”;端面耦合位置是固定的,但更适合和现有光纤阵列做阵列对接。
总结与展望
总的来看,端面(水平)耦合因为低损耗、易与阵列对接、与传统光纤生态兼容等特点,会持续发光发热。从科研和产业发展角度来看:
Ø 短期内,研究会继续围绕“更宽带、更偏振无关、更大容差的 edge coupler”做结构创新;
Ø 中期更多看到 3D 打印微光学+被动对准的量产方案;
Ø 长期则可能跟 3D 光子集成、光电共封装一起,形成标准化的光学接口。

上图是高性能光子芯片端面耦合器的代表,通过多材料和多级锥形的设计,精确控制模式转换,以实现极低的光纤耦合损耗。上下两部分分别展示了光子集成中的微光学封装技术 (FaML) 和高性能芯片集成耦合器 (多层EC)。

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